1、輻射源頭分析

     該P(yáng)CB上有一個(gè)12MHz的晶體。其中超標(biāo)頻點(diǎn)恰好都是12MHz的倍頻，而分析該機(jī)器容易EMI輻射超標(biāo)的屏和攝像頭，發(fā)現(xiàn)LCD-CLK是33MHz，而攝像頭MCLK是24MHz。

    通過排除法，發(fā)現(xiàn)去掉攝像頭后，超標(biāo)點(diǎn)依然存在，而通過屏蔽12MHz晶體，超標(biāo)點(diǎn)有降低，由此判斷144MHz超標(biāo)點(diǎn)與晶體有關(guān)，PCB布局如下：

2、輻射產(chǎn)生原理

      從PCB布局可以看出，12MHz的晶體正好布置在了PCB邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置于輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時(shí)，被測產(chǎn)品的高速器件與實(shí)驗(yàn)室中參考地會(huì)形成一定的容性耦合，產(chǎn)生寄生電容，導(dǎo)致出現(xiàn)共模輻射，寄生電容越大，共模輻射越強(qiáng)；而寄生電容實(shí)質(zhì)就是晶體與參考地之間的電場分布，當(dāng)兩者之間電壓恒定時(shí)，兩者之間電場分布越多，兩者之間電場強(qiáng)度就越大，寄生電容也會(huì)越大，晶體在PCB邊緣與在PCB中間時(shí)電場分布如下：

     從圖中可以看出，當(dāng)晶振布置在PCB中間，或離PCB邊緣較遠(yuǎn)時(shí)，由于PCB中工作地（GND）平面的存在，使大部分的電場控制在晶振與工作地之間，即在PCB內(nèi)部，分布到參考接地板的電場大大減小，導(dǎo)致輻射發(fā)射就降低了。

3、處理措施

     將晶振內(nèi)移，使其離PCB邊緣至少1cm以上的距離，并在PCB表層離晶振1cm的范圍內(nèi)敷銅，同時(shí)把表層的銅通過過孔與PCB地平面相連。經(jīng)過修改后的測試結(jié)果頻譜圖如下，從圖可以看出，輻射發(fā)射有了明顯改善。

4、思考與啟示

    高速的印制線或器件與參考接地板之間的容性耦合，會(huì)產(chǎn)生EMI問題，敏感印制線或器件布置在PCB邊緣會(huì)產(chǎn)生抗擾度問題。 如果設(shè)計(jì)中由于其他一些原因一定要布置在PCB邊緣，那么可以在印制線邊上再布一根工作地線，并多增加過孔將此工作地線與工作地平面相連。